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由SEMI中国主办，广东中图半导体科技股份有限公司承办及赞助的“SEMI化合物半导体材料技术论坛”于2023年4月27日在广东东莞光大We谷举行。
以化合物半导体为代表的半导体新材料快速崛起，在新能源汽车、消费类电子等领域有广泛的应用前景。以砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的化合物半导体市场空间不断拓展，伴随化合物半导体下游需求旺，前景明朗可期。
SEMI全球副总裁，中国区总裁居龙先生，出席会议并现场致辞。居总对参加本次会议的嘉宾表示欢迎，并同大家伙儿一起来分享了半导体产业的近况和展望。去年全球半导体行业增长3.2%达到5735亿美元的市场规模，今年居总以“寒潮弥昧待春暖， 长风破浪会有时”来形容现阶段的半导体产业，从去年第三季度开始由于终端消费类电子市场增长乏力，地理政治学加剧，以及世界宏观经济和政治形势等因素，半导体产业已进入下行周期。根据目前第一季度的最新数据，行业销售额普遍下滑，库存也比年初预期更严重，估计半导体产业今年第四季度或明年初开始复苏。在产业下行周期当中，汽车半导体产业一枝独秀，尤其在中国新能源车的市场上涨的速度最快，在场的很多功率及化合物半导体公司都与汽车产业相关。面对当前严峻的国际形势及各种不确定因素，居龙提出对中国半导体产业前行之道的观点：市场是王道，创新是正道，人才是上道。
最后居总感谢承办方及出席的领导，同时欢迎各位参加6.29-7.1日上海举办的SEMICON China 2023。
东莞市市委副书记、松山湖党工委书记刘炜在致辞中表示新一轮科技革命、产业变革正深入发展，化合物半导体是“国之重器”，是推动科技自立自强和产业高水平发展的重要内容和关键支撑，真诚期盼企业家和专家加强交流合作，一起以创新点燃“芯”火，为推动半导体产业高质量发展作出更大贡献！
广东中图半导体科技股份有限公司董事长、总经理康凯在致辞中表示作为东莞本土企业，中图科技在松山湖注册成立并发展壮大，目前慢慢的变成了GaN基LED用图形化衬底的全球领先者之一。康总也表示今天的论坛精英荟萃，给了交流、学习化合物半导体材料应用和技术发展的好机会，祝愿中国半导体产业持续不断的发展、进步。
会议上午场由华灿光电股份有限公司副总裁王江波先生主持，下午场由常州臻晶总经理陆敏先生主持。来自华灿光电、中图半导体、苏州汉骅半导体、奥趋光电、松山湖材料实验室、珂矽信息、广东先导、北京铭镓半导体、镓特半导体、山西烁科、深圳中机新材料、化合积电的专家参加本次论坛并做报告分享，产业界近260余位嘉宾出席了本次会议。
华灿光电股份有限公司副总裁兼首席技术官王江波大家阐述新一代显示用Mini/Micro LED芯片技术探讨研究与展望。王博士提到作为国内Mini/Micro LED芯片有突出贡献的公司，华灿光电在Mini LED市场已有多个终端产品落地，Micro LED产品与战略客户合作已取得关键进展，王江波博士指出，一大一小即小屏幕可穿戴设备和大屏幕高端显示应用将是开启Micro LED应用的的主要切入点。华灿光电Micro LED 中小尺寸产品持续小批量供应，大尺寸晶圆各项良率逐步提升；Micro LED像素器件实现上屏点亮，预计2023年可小规模量产；用于AR近眼显示的微显示屏幕已实现多色样品屏幕动态画面展示，公司巨量转移技术与设备厂商联合开发，良率持续提升，进展顺利。
广东中图半导体科技股份有限公司产品总监张能向大家阐述蓝宝石图形化产品应用以及发展的新趋势。张总介绍了蓝宝石材料作为第三代半导体GaN应用最广泛的衬底，经过图形化的作用，能改善外延晶体质量、提升光提取率，调节光强分布。目前不仅应用在多个传统LED领域，在Mini/Micro LED新型显示、UVC、汽车照明，电力电子器件等不同应用场景也加快速度进行发展。中图科技依托不同图形结构的设计与工艺控制能力，能够给大家提供实现各种应用指标的PSS及MMS产品，更好的服务于计算机显示终端使用需要。
苏州汉骅半导体有限公司副总裁范谦以3DIC技术在化合物半导体器件领域的应用与前景为题进行分享。他谈到，3DIC技术在器件领域的优势以及挑战，3DIC的关键技术工艺-Hybrid bonding常温混合集成为显示领域带来的新变革。未来，汉骅将不负众望，不断研发、创新，为高端显示应用产业链深度赋能。
奥趋光电技术（杭州）有限公司CEO吴亮详细探讨了大尺寸、高质量氮化铝单晶PVT生长最新进展及其挑战。吴总阐述了AlN 在深紫外光电、激光器和传感器设备和功率设备和快速电声 SAW/BAW 设备方面具有巨大的潜力。AlN衬底的高成本大多数来源于晶体生长的技术难点，例如杂质去除、极高温度工艺、耗材成本和迭代生长以扩大尺寸、良率低等。
松山湖材料实验室微加工与器件平台副主任，研究员级高工汪洋详细探讨了面向化合物半导体材料与器件微纳加工平台。微加工与器件平台为松山湖材料实验室公共技术平台下设子平台，平台立足于微纳加工技术前沿及半导体器件产业高质量发展趋势，积极布局先进微电子器件、光电子器件、MEMS&NEMS器件、柔性器件、3D混合集成器件等领域，以满足电子信息、先进显示、人工智能、清洁能源、新概念材料加工等技术发展对于微纳加工的需求。
珂矽信息技术（上海）有限公司执行副总刘波介绍化合物半导体产业的智能制造探索。刘波女士阐述了化合物半导体产业是我国处于国际领先水平的战略性新兴产业。生产过程的自动化，智能化都要求我们积极发展实施设备级标准，努力提高生产率和降低运营成本，加快向智能制造转型的步伐。标准的通讯接口和设备数据是大数据和人工智能的基础。SECS GEM 标准在全球范围内广泛使用超过二十年，是一个成熟，被验证的标准系列。部分化合物半导体设备制造商具备半导体前道及后道设备经验，设备可以提供相应的SECS GEM接口。
广东先导微电子科技有限公司总经理周铁军分享了大尺寸化合物半导体的加工与应用展望。周总介绍了在衬底材料供应端，6”GaAs和 4”InP晶体生长以及晶片加工，已实现规模化的稳定量产及供货。6”GaAs在3D传感和激光应用领域已形成规模化的器件量产，如用于3D传感和数字通信的VCSEL，以及用于工业、航空航天和国防的边发射（EEL）器件。4” InP也已实现光通信应用模块的规模量产。
北京铭镓半导体有限公司总经理陈政委详细探讨了超宽禁带半导体材料氧化镓及其器件产业化分析。陈博士介绍了氧化镓Ga2O3是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料，以β-Ga2O3单晶为基础材料的功率器件具有更高的击穿电压与更低的导通电阻，从而拥有更低的导通损耗和更高的功率转换效率，在功率电子器件方面具有极大的应用潜力。北京铭镓半导体有限公司致力于研发生产人工晶体材料，包括第四代半导体材料氧化镓、高频磷化铟晶体和大尺寸掺杂光学晶体。
镓特半导体科技（上海）有限公司科学家刘德昂详细阐述了4英寸氮化镓自支撑晶圆的HVPE生长技术。刘博士介绍了宽禁带半导体GaN材料由于缺乏同质外延衬底氮化镓自支撑晶圆，应用受到限制。HVPE技术可以实现GaN自支撑晶圆的商业化，但是目前大多只能做到2英寸，通过妥善设计生长腔体，保证流场温场的均匀性，结合自剥离技术和侧向外延技术，控制应力和位错密度，实现了4英寸GaN自支撑晶圆的生长。
山西烁科晶体有限公司总经理助理马康夫详细探讨了SiC单晶生长技术浅析及应用展望。马总首先介绍了SiC材料的物理特性，并与传统的一代半导体Si材料做了对比，分析了SiC相对于Si材料的优势。随后分别阐述了半绝缘型SiC以及N型SiC的应用场景及市场规模。紧接着浅析了SiC单晶缺陷及生长技术并简要介绍了本单位的发展规划及研发进展。最后对行业的发展提出了建议。
深圳中机新材料有限公司创始人/董事长陈斌详细探讨了SiC衬底切磨抛工艺最新进展与发展的新趋势。陈总介绍了碳化硅的市场发展趋势：随新能源汽车，光伏储能等领域的扩张，需求量增大。切磨抛成本占比高，传统工艺设备投入大，缩短加工制程，优化工艺提升良率是加工工艺发展的方向。
化合积电（厦门）半导体科技有限公司联合创始人、CEO张星分享了晶圆级和热沉级金刚石产业化的最新进展，金刚石具备高热导率、高击穿电场、高载流子迁移率、高载流子饱和速率和低介电常数等优异的特性，化合积电基于国际领先的金刚石创新研发能力和规模化生产实力，为广大新老客户提供金刚石热沉片和晶圆级金刚石作为热沉材料或衬底材料，有效解决了高频、大功率芯片或器件的散热问题。
本次SEMI化合物半导体标准技术委员会2023年度春季会议及同期SEMI化合物半导体材料技术论坛圆满闭幕，SEMI也热烈欢迎产业内专家届时参与6月30日~7月1日SEMICON展会同期功率及化合物半导体国际产业论坛及功率及化合物半导体汽车应用发展高峰论坛。